رقاقة السيليكون الأساسية

رقاقة السيليكون الأساسية

تم تصميم حلول رقائق السيليكون الخاصة بنا من المستوى الذري، وذلك باستخدام التقنيات المتقدمةتشوتشرالسكي (تشيكوسلوفاكيا)والمنطقة العائمة (FZ)منهجيات النمو البلوري لضمان بنية شبكية فائقة-نقية وخالية من العيوب-. دعم الطيف الصناعي الكامل من2 بوصة (50 ملم) إلى 12 بوصة (300 ملم)، تعمل هذه الركائز كمضيف عالي التكامل-للنمو الفوقي المعقد وزرع الأيونات بجرعة عالية-.

نحن نحافظ على حد قوي لمحتوى الأكسجين والكربون الخلالي، وهو أمر بالغ الأهمية لضمان الاستقرار الحراري ومنع هطول الأمطار أثناء دورات التلدين بالفراغ العالية- الأكثر تقلبًا. عن طريق التحسينالاستواء العالمي والمحدد للموقع-(TTV وSFQR)، تعمل شرائحنا على تسهيل العمق الموسع-للتركيز البؤري (DOF) في الطباعة الحجرية الضوئية المتقدمة التي تقل عن-الميكرون، والتي ترتبط ارتباطًا مباشرًا بزيادة كبيرة في إنتاجية جهازك النهائية.

الوسم : رقاقة السيليكون الأساسية، الصين المصنعين الأساسية رقاقة السيليكون، الموردين، المصنع