ركائز السيليكون Epitaxy

ركائز السيليكون Epitaxy

هذه ركائز السيليكون تنضيد بدقةمصممة لنمو الطبقة الفوقي، وهو بمثابة القالب البلوري-عالي النقاء للتكامل المتقدم لأجهزة Power and Logic. تم تصميمها باستخدام تسلسلات سحب Czochralski (CZ) الدقيقة وتسلسلات التلميع فائقة النظافة-، وتضمن الركائز لدينا بيئة سطحية لا تقبل المساومة. تعتبر نعومة المستوى الذري- هذه متطلبًا أساسيًا لتحقيق جودة عالية من الترسيب المتجانس والمغاير المحوري في الجيل التالي من أشباه الموصلات.

سطح محسّن للحصول على-ترسيب عالي الجودة:السطح متحكم فيه واتجاه كريستاليتم تحسينها لتوفير بيئة نووية مثالية. من خلال التحكم الصارم فيإيقاف-زاوية القطع(سوء التوجيه) بدقة بالمللي درجة، فإننا نسهل آلية نمو التدفق-المتدرجة. يؤدي هذا إلى تقليل عدم تطابق الشبكة ويمنع تكوين أخطاء التراص وخلع الخيط، وهو أمر ضروري لتثبيت الخصائص الكهربائية للطبقة epi- اللاحقة.

المقاومة التي تسيطر عليها لعزل الجهاز:تم تصميم هذه الركائز خصيصًا لتطبيقات Power IC والتطبيقات التناظريةخصائص المواد مستقرةمع ملف تعريف dopant موحد للغاية. يتيح ذلك التحكم الدقيق في واجهة الركيزة-إلى-epi، مما يعزز عزل الجهاز ويقلل السعة الطفيلية في البيئات ذات التردد العالي-والجهد العالي-.

-المرونة الحرارية العالية النقاء:يتم التحكم في كل ركيزة بواسطة تفاوتات صارمة للأكسجين الخلالي والشوائب المعدنية لمنع التشويب التلقائي والتشوه المستحث حراريًا. قوتها الميكانيكية المتفوقةيدعم خطوات معالجة متعددة مع الحد الأدنى من الاختلاف، والحفاظ على الدقة الهندسية أثناء درجات الحرارة المرتفعة-CVD (ترسيب البخار الكيميائي) ودورات المعالجة الحرارية السريعة (RTP).

الوسم : ركائز السيليكون الفوقية، الصين ركائز السيليكون الفوقية المصنعين والموردين والمصنع